RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3134
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link