RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3294
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link