RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3047
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link