RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3115
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link