RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
13.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2689
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link