RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
13.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2797
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link