RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3052
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link