RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
25
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3540
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT84GL7AMR4C-RD 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link