RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
20.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3831
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link