RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.2
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
22.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3938
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link