RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около 51% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
51
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2945
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link