RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.2
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
19.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3399
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link