RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2346
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kllisre 0000 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link