RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3673
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link