RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
37
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
9.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2046
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link