RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2731
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link