RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
73
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
73
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1853
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link