Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Kingston 9965600-033.A00G 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка

Kingston 9965600-033.A00G 16GB

Kingston 9965600-033.A00G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 40

Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.1 8.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.1 6.7

Среднее значение в тестах

Kingston 9965600-033.A00G 16GB

Причины выбрать
Kingston 9965600-033.A00G 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9965600-033.A00G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 40
Скорость чтения, Гб/сек

16.1 8.8
Скорость записи, Гб/сек

10.1 6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2764 1777

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

модули RAM

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9965600-033.A00G 16GB

Kingston 9965600-033.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB

Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB

модули RAM