RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
13.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2200
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link