RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3609
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link