RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2979
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link