RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Kingston XRMWRN-HYA 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.0
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2962
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
UMAX Technology 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link