RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2665
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SpecTek Incorporated OP:71100 03/13 2M 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link