Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 26

Около 4% меньшая задержка

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.5 16.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.6 10.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 26
Скорость чтения, Гб/сек

16.1 17.5
Скорость записи, Гб/сек

10.1 13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2764 2974

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB

Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Kingston 9905743-045.A00G 16GB

Kingston 9905743-045.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB

Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Kingston 9965639-002.A01G 8GB

Kingston 9965639-002.A01G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB

модули RAM