Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка

Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 36

Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.1 14.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.1 7.8

Среднее значение в тестах

Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 36
Скорость чтения, Гб/сек

16.1 14.6
Скорость записи, Гб/сек

10.1 7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2764 2183

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905702-002.A00G 8GB

Kingston 9905702-002.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Kingston 9905700-047.A00G 16GB

Kingston 9905700-047.A00G 16GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Kingston 9905665-014.A00G 4GB

Kingston 9905665-014.A00G 4GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

модули RAM