RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
45
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
10.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2414
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link