RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
52
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
52
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
10.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2236
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link