RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
73
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
73
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1609
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teclast TLD416G26A30 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link