RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
13.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2140
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link