RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
13.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2140
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link