RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
13.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2594
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link