Samsung 1600 CL10 Series 8GB против SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка

SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB

SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 33

Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.1 15.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.1 9.8

Среднее значение в тестах

SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB

Причины выбрать
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 33
Скорость чтения, Гб/сек

16.1 15.1
Скорость записи, Гб/сек

10.1 9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2764 2590

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

AMD R948G3206U2S 8GB

AMD R948G3206U2S 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB

SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB

A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Super Talent F24EA8GS 8GB

Super Talent F24EA8GS 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

модули RAM

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

модули RAM