RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB против SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung 1600 CL10 Series 8GB Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 39
    Около 36% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.1 left arrow 13.7
    Среднее значение в тестах
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Причины выбрать
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    10.2 left arrow 10.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 39
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.1 left arrow 13.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.1 left arrow 10.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2764 left arrow 2359

Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
модули RAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
модули RAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
модули RAM