RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
50
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
50
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
10.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2386
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link