RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3093
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link