RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
75
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
75
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
12.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1640
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link