RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
25
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.0
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
19.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
18.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3543
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link