RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
25
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.0
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
19.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
18.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3543
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link