RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
67
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
67
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1798
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link