RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
19.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3562
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link