RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Сравнить
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB против Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
55
65
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
5.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
14900
Около 1.14 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
55
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
12.3
Скорость записи, Гб/сек
5.4
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
17000
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1370
2894
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link