RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Сравнить
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB против G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
5.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
14900
Около 1.14 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
5.4
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
17000
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1370
2810
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link