RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Сравнить
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB против G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
5.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
14900
Около 1.14 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
5.4
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
17000
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1370
2810
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link