RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Comparez
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Note globale
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
65
Autour de -124% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14900
Autour de 1.14 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
29
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.4
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
17000
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1370
2810
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Comparaison des RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Corsair VS1GB533D2 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link