RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Сравнить
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
65
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
5.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
14900
Около 1.43 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
35
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
15.4
Скорость записи, Гб/сек
5.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
21300
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1370
2926
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link