Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB против Good Wealth Technology Ltd. 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Средняя оценка

Good Wealth Technology Ltd. 8GB

Good Wealth Technology Ltd. 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Причины выбрать
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 18.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,924.1 12.0

Среднее значение в тестах

Good Wealth Technology Ltd. 8GB

Причины выбрать
Good Wealth Technology Ltd. 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 70

Около -233% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 5600

Около 3.43 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Good Wealth Technology Ltd. 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

70 21
Скорость чтения, Гб/сек

4,318.9 18.1
Скорость записи, Гб/сек

2,924.1 12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5600 19200

Other

Описание

PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

813 3211

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB

Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

модули RAM

Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB

Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB

Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Micron Technology 8G2666CL19 8GB

Micron Technology 8G2666CL19 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM