Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

43 66

Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.9 13.9

Среднее значение в тестах

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

13.2 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 66
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 13.9
Скорость записи, Гб/сек

9.6 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2506 2429

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

модули RAM