RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
49
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
49
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2673
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link