RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
36
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.6
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
36
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
14.7
Скорость записи, Гб/сек
10.2
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2800
2998
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link