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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
比较
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.6
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
36
读取速度,GB/s
14.9
14.7
写入速度,GB/s
10.2
10.6
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2800
2998
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Mushkin 991586 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
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