Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Сообщить об ошибке

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 43

Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения

23.7 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

18.3 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 26
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 23.7
Скорость записи, Гб/сек

9.6 18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2506 4124

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

модули RAM

Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB

Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB

Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB

модули RAM