Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 43
    Около -39% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    21.4 left arrow 14.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    16.2 left arrow 9.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    43 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.9 left arrow 21.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 16.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2506 left arrow 3809
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения