RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
21.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3809
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link