RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
43
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3809
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link